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Advanced Linear Devices Inc. ALD1110EPAL

Número de pieza de MFG
ALD1110EPAL
Cantidad disponible
83490 Piezas
Precio de referencia
USD 5.19888
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Fecha de envío
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fabricante
Advanced Linear Devices Inc.
Breve descripción
EPAD® MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-ALD1110EPAL
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie EPAD®
ALD1110EPAL Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica FET Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 10V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.01V @ 1µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2.5pF @ 5V
Potencia - max 600mW
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caja 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PDIP
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ALD1110EPAL Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto ALD1110EPAL-FT

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