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Advanced Linear Devices Inc. ALD114913PAL

Número de pieza de MFG
ALD114913PAL
Cantidad disponible
46780 Piezas
Precio de referencia
USD 3.07808
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Fecha de envío
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fabricante
Advanced Linear Devices Inc.
Breve descripción
EPAD® MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-ALD114913PAL
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie EPAD®
ALD114913PAL Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica FET Depletion Mode
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 10.6V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 2.7V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.26V @ 1µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2.5pF @ 5V
Potencia - max 500mW
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caja 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PDIP
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ALD114913PAL Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto ALD114913PAL-FT

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