casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / ALD111933PAL
Número de pieza del fabricante | ALD111933PAL |
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Número de parte futuro | FT-ALD111933PAL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EPAD® |
ALD111933PAL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 10.6V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5.9V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.35V @ 1µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
Potencia - max | 500mW |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ALD111933PAL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ALD111933PAL-FT |
AO4822L_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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