casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIA443DJ-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIA443DJ-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIA443DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA443DJ-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 750pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.3W (Ta), 15W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paquete / Caja | PowerPAK® SC-70-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA443DJ-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIA443DJ-T1-GE3-FT |
SQ9407EY-T1_GE3
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