casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TPC8018-H(TE12LQM)
Número de pieza del fabricante | TPC8018-H(TE12LQM) |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TPC8018-H(TE12LQM) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPC8018-H(TE12LQM) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2265pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP (5.5x6.0) |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPC8018-H(TE12LQM) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPC8018-H(TE12LQM)-FT |
SI4472DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4472DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4480DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4483EDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4483EDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4484EY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4484EY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4485DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4486EY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4486EY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel