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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8035-H(TE12L,QM
- Número de pieza de MFG
- TPC8035-H(TE12L,QM
- Cantidad disponible
- 96860 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descripción
- U-MOSVI-H MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- TPC8035-H(TE12L,QM.pdf
TPC8035-H(TE12L,QM Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | TPC8035-H(TE12L,QM |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-TPC8035-H(TE12L,QM |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | U-MOSVI-H |
| TPC8035-H(TE12L,QM Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7800pF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 1W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPC8035-H(TE12L,QM Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | TPC8035-H(TE12L,QM-FT |
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