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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8021-H(TE12LQ,M

Número de pieza de MFG
TPC8021-H(TE12LQ,M
Cantidad disponible
26350 Piezas
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
- MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-TPC8021-H(TE12LQ,M
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TPC8021-H(TE12LQ,M Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 640pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP (5.5x6.0)
Paquete / Caja 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8021-H(TE12LQ,M Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TPC8021-H(TE12LQ,M-FT

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