casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1050X-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI1050X-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI1050X-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1050X-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 8V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.34A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 86 mOhm @ 1.34A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 585pF @ 4V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 236mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-89-6 |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1050X-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI1050X-T1-GE3-FT |
SIE802DF-T1-E3
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XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
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APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
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10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel