casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIE808DF-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SIE808DF-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SIE808DF-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIE808DF-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8800pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 10-PolarPAK® (L) |
Paquete / Caja | 10-PolarPAK® (L) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIE808DF-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIE808DF-T1-E3-FT |
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel