casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIA850DJ-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIA850DJ-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIA850DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LITTLE FOOT® |
SIA850DJ-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 190V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 950mA (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 90pF @ 100V |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de potencia (max) | 1.9W (Ta), 7W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paquete / Caja | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA850DJ-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIA850DJ-T1-GE3-FT |
SI4831BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4831DY-T1-E3
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SI4833ADY-T1-E3
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