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Vishay Siliconix SIE802DF-T1-E3

Name: SIE802DF-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIE802DF-T1-E3
Price: 1.663032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (606 reviews)

Número de pieza de MFG: SIE802DF-T1-E3

Cantidad disponible: 88290 Piezas

Precio de referencia: USD 1.663032

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SIE802DF-T1-E3.pdf

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SIE802DF-T1-E3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SIE802DF-T1-E3
Número de parte futuro	FT-SIE802DF-T1-E3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SIE802DF-T1-E3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 23.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	160nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	7000pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	5.2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	10-PolarPAK® (L)
Paquete / Caja	10-PolarPAK® (L)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIE802DF-T1-E3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SIE802DF-T1-E3-FT

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