casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIA810DJ-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIA810DJ-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIA810DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LITTLE FOOT® |
SIA810DJ-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 400pF @ 10V |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de potencia (max) | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paquete / Caja | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA810DJ-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIA810DJ-T1-GE3-FT |
SI4812BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4812BDY-T1-GE3
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SI4823DY-T1-E3
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ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel