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Vishay Siliconix SIE810DF-T1-GE3
- Número de pieza de MFG
- SIE810DF-T1-GE3
- Cantidad disponible
- 48540 Piezas
- Precio de referencia
- USD 1.451296
- Nuestro precio
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Vishay Siliconix
- Breve descripción
- TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- SIE810DF-T1-GE3.pdf
SIE810DF-T1-GE3 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | SIE810DF-T1-GE3 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-SIE810DF-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | TrenchFET® |
| SIE810DF-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 13000pF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 10-PolarPAK® (L) |
| Paquete / Caja | 10-PolarPAK® (L) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIE810DF-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | SIE810DF-T1-GE3-FT |
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