casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S34MS04G200BHA003
Número de pieza del fabricante | S34MS04G200BHA003 |
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Número de parte futuro | FT-S34MS04G200BHA003 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100, MS-2 |
S34MS04G200BHA003 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-BGA (11x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS04G200BHA003 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S34MS04G200BHA003-FT |
S34ML01G200BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHI503
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHI900
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHI903
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G100BHB000
Cypress Semiconductor Corp