casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S34ML01G200BHI900
Número de pieza del fabricante | S34ML01G200BHI900 |
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Número de parte futuro | FT-S34ML01G200BHI900 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ML-2 |
S34ML01G200BHI900 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-BGA (11x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34ML01G200BHI900 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S34ML01G200BHI900-FT |
IS29GL256S-10DHV023
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB01
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB01-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB010
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB013
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB02
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB02-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB020
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB023
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHV01
Cypress Semiconductor Corp
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel