casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS29GL512S-11DHB01
Número de pieza del fabricante | IS29GL512S-11DHB01 |
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Número de parte futuro | FT-IS29GL512S-11DHB01 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
IS29GL512S-11DHB01 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Preliminary |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 110ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-FBGA (9x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS29GL512S-11DHB01 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS29GL512S-11DHB01-FT |
S29GL01GT10FAI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10FAI030
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10FHI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10FHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10FHI030
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10FHI040
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FAIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FAIV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FAIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FAIV23
Cypress Semiconductor Corp
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel