casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S34ML01G200BHB003
Número de pieza del fabricante | S34ML01G200BHB003 |
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Número de parte futuro | FT-S34ML01G200BHB003 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100, ML-2 |
S34ML01G200BHB003 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-BGA (11x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34ML01G200BHB003 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S34ML01G200BHB003-FT |
IS29GL256S-10DHV02
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHV02-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHV020
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHV023
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB01
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB01-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB010
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB013
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB02
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB02-TR
Cypress Semiconductor Corp
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel