casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S34ML02G100BHA000
Número de pieza del fabricante | S34ML02G100BHA000 |
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Número de parte futuro | FT-S34ML02G100BHA000 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ML-1 |
S34ML02G100BHA000 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-BGA (11x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34ML02G100BHA000 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S34ML02G100BHA000-FT |
IS29GL512S-11DHB013
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB02
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB02-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB020
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHB023
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHV01
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHV01-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHV010
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHV013
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL512S-11DHV02
Cypress Semiconductor Corp
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel