casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S25FL129P0XNFI011M
Número de pieza del fabricante | S25FL129P0XNFI011M |
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Número de parte futuro | FT-S25FL129P0XNFI011M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FL-P |
S25FL129P0XNFI011M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frecuencia de reloj | 104MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5µs, 3ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-WSON (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25FL129P0XNFI011M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S25FL129P0XNFI011M-FT |
QMP9GL512P11TFI020
Cypress Semiconductor Corp
R1LV0816ABG-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0816ABG-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-0PI#B0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-2LR#B0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-2PI#B0
Renesas Electronics America
R1RP0408DGE-2PR#B0
Renesas Electronics America
R1RP0416DGE-2LR#B0
Renesas Electronics America
R1RP0416DGE-2PI#B0
Renesas Electronics America
R1RP0416DGE-2PR#B0
Renesas Electronics America
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel