casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / R1RP0408DGE-2PR#B0
Número de pieza del fabricante | R1RP0408DGE-2PR#B0 |
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Número de parte futuro | FT-R1RP0408DGE-2PR#B0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1RP0408DGE-2PR#B0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 36-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1RP0408DGE-2PR#B0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R1RP0408DGE-2PR#B0-FT |
PC28F128J3F75B TR
Micron Technology Inc.
PC28F128J3F75F
Micron Technology Inc.
PC28F128J3F75G
Micron Technology Inc.
PC28F128M29EWHG
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PC28F128P30BF65B TR
Micron Technology Inc.
PC28F128P33TF60E TR
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PC28F256G18AE
Micron Technology Inc.
PC28F256G18AF TR
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PC28F256G18FF TR
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PC28F256J3F95B TR
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