casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / R1RP0416DGE-2LR#B0
Número de pieza del fabricante | R1RP0416DGE-2LR#B0 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-R1RP0416DGE-2LR#B0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1RP0416DGE-2LR#B0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1RP0416DGE-2LR#B0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R1RP0416DGE-2LR#B0-FT |
PC28F128J3F75F
Micron Technology Inc.
PC28F128J3F75G
Micron Technology Inc.
PC28F128M29EWHG
Micron Technology Inc.
PC28F128P30BF65B TR
Micron Technology Inc.
PC28F128P33TF60E TR
Micron Technology Inc.
PC28F256G18AE
Micron Technology Inc.
PC28F256G18AF TR
Micron Technology Inc.
PC28F256G18FF TR
Micron Technology Inc.
PC28F256J3F95B TR
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWHB TR
Micron Technology Inc.
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel