casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / R1LV0816ABG-7SI#S0
Número de pieza del fabricante | R1LV0816ABG-7SI#S0 |
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Número de parte futuro | FT-R1LV0816ABG-7SI#S0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1LV0816ABG-7SI#S0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.4V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-FBGA (7.5x8.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1LV0816ABG-7SI#S0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R1LV0816ABG-7SI#S0-FT |
PC28F064M29EWTX
Micron Technology Inc.
PC28F064M29EWTY TR
Micron Technology Inc.
PC28F128G18AE
Micron Technology Inc.
PC28F128G18FF TR
Micron Technology Inc.
PC28F128J3F75B TR
Micron Technology Inc.
PC28F128J3F75F
Micron Technology Inc.
PC28F128J3F75G
Micron Technology Inc.
PC28F128M29EWHG
Micron Technology Inc.
PC28F128P30BF65B TR
Micron Technology Inc.
PC28F128P33TF60E TR
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel