casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PHD96NQ03LT,118
Número de pieza del fabricante | PHD96NQ03LT,118 |
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Número de parte futuro | FT-PHD96NQ03LT,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PHD96NQ03LT,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.95 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26.7nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2200pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 115W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD96NQ03LT,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PHD96NQ03LT,118-FT |
PSMN3R5-80ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-80ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-100ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN7R8-120ESQ
Nexperia USA Inc.
PSMN7R8-120PSQ
Nexperia USA Inc.
PSMN8R5-108ESQ
NXP USA Inc.
BUK9225-55A,118
Nexperia USA Inc.
PSMN025-100D,118
Nexperia USA Inc.
BUK7275-100A,118
Nexperia USA Inc.
BUK92150-55A,118
Nexperia USA Inc.
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation