casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN025-100D,118
Número de pieza del fabricante | PSMN025-100D,118 |
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Número de parte futuro | FT-PSMN025-100D,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PSMN025-100D,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 47A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2600pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 150W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN025-100D,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN025-100D,118-FT |
PMZ1200UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ290UNE2YL
Nexperia USA Inc.
PMZ370UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ600UNELYL
Nexperia USA Inc.
PMZ600UNEYL
Nexperia USA Inc.
2N7002PM,315
NXP USA Inc.
NX7002BKMYL
Nexperia USA Inc.
PMZ1000UN,315
Nexperia USA Inc.
PMZ250UN,315
Nexperia USA Inc.
PMZ270XN,315
Nexperia USA Inc.
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation