casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN7R0-100ES,127
Número de pieza del fabricante | PSMN7R0-100ES,127 |
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Número de parte futuro | FT-PSMN7R0-100ES,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN7R0-100ES,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6686pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 269W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN7R0-100ES,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN7R0-100ES,127-FT |
BSS84AKM,315
Nexperia USA Inc.
PMZ320UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ390UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ550UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ950UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ1200UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ290UNE2YL
Nexperia USA Inc.
PMZ370UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ600UNELYL
Nexperia USA Inc.
PMZ600UNEYL
Nexperia USA Inc.
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel