casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN8R5-108ESQ
Número de pieza del fabricante | PSMN8R5-108ESQ |
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Número de parte futuro | FT-PSMN8R5-108ESQ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN8R5-108ESQ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 108V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 111nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5512pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 263W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN8R5-108ESQ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN8R5-108ESQ-FT |
PMZ550UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ950UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ1200UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ290UNE2YL
Nexperia USA Inc.
PMZ370UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ600UNELYL
Nexperia USA Inc.
PMZ600UNEYL
Nexperia USA Inc.
2N7002PM,315
NXP USA Inc.
NX7002BKMYL
Nexperia USA Inc.
PMZ1000UN,315
Nexperia USA Inc.
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel