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PSMN8R5-108ESQ Image

NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ

Número de pieza de MFG
PSMN8R5-108ESQ
Cantidad disponible
25400 Piezas
Precio de referencia
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Fecha de envío
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fabricante
NXP USA Inc.
Breve descripción
- MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
PSMN8R5-108ESQ Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 108V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100A (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 111nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5512pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 263W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN8R5-108ESQ Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto PSMN8R5-108ESQ-FT

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