casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN8R5-108ESQ
Número de pieza del fabricante | PSMN8R5-108ESQ |
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Número de parte futuro | FT-PSMN8R5-108ESQ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN8R5-108ESQ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 108V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 111nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5512pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 263W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN8R5-108ESQ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN8R5-108ESQ-FT |
PMZ550UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ950UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ1200UPEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ290UNE2YL
Nexperia USA Inc.
PMZ370UNEYL
Nexperia USA Inc.
PMZ600UNELYL
Nexperia USA Inc.
PMZ600UNEYL
Nexperia USA Inc.
2N7002PM,315
NXP USA Inc.
NX7002BKMYL
Nexperia USA Inc.
PMZ1000UN,315
Nexperia USA Inc.
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
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5SGXEA7H3F35I4
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EP3SE50F780I3
Intel