casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / NTMFD4901NFT1G
Número de pieza del fabricante | NTMFD4901NFT1G |
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Número de parte futuro | FT-NTMFD4901NFT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFD4901NFT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10.3A, 17.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1150pF @ 15V |
Potencia - max | 1.1W, 1.2W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFD4901NFT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NTMFD4901NFT1G-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
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Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
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