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Vishay Siliconix SQJ912AEP-T1_GE3
- Número de pieza de MFG
- SQJ912AEP-T1_GE3
- Cantidad disponible
- 69730 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.489768
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Vishay Siliconix
- Breve descripción
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- SQJ912AEP-T1_GE3.pdf
SQJ912AEP-T1_GE3 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | SQJ912AEP-T1_GE3 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-SQJ912AEP-T1_GE3 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| SQJ912AEP-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 9.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1835pF @ 20V |
| Potencia - max | 48W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SQJ912AEP-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | SQJ912AEP-T1_GE3-FT |
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