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Vishay Siliconix SIZ350DT-T1-GE3

Número de pieza de MFG
SIZ350DT-T1-GE3
Cantidad disponible
57200 Piezas
Precio de referencia
USD 0.428632
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
TrenchFET® Gen IV MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET® Gen IV
SIZ350DT-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.75 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 20.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 940pF @ 15V
Potencia - max 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor 8-Power33 (3x3)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZ350DT-T1-GE3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SIZ350DT-T1-GE3-FT

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