casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NM93CS66EN
Número de pieza del fabricante | NM93CS66EN |
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Número de parte futuro | FT-NM93CS66EN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NM93CS66EN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 4Kb (256 x 16) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM93CS66EN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NM93CS66EN-FT |
NAND32GW3F2DDI6P TR
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2AZA6E
STMicroelectronics
NAND512R3A2SE06
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SZA6E
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SZA6F
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SZAXE
Micron Technology Inc.
NAND512R3A3AZA6E
STMicroelectronics
NAND512W3A0AV6E
STMicroelectronics
NAND512W3A2SE06
Micron Technology Inc.
NAND512W3A2SN6F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel