casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND512R3A2SZA6F
Número de pieza del fabricante | NAND512R3A2SZA6F |
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Número de parte futuro | FT-NAND512R3A2SZA6F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND512R3A2SZA6F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 50ns |
Tiempo de acceso | 50ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512R3A2SZA6F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND512R3A2SZA6F-FT |
N25Q064A13ESEDFF TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEH0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF42EE01
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESFD0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESFD0G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EV140
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EV740
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EV741
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW74ME
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW7D0F TR
Micron Technology Inc.
XC2V3000-5FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP3SL70F484I3N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
5SGXMB9R3H43C3N
Intel
XC5VSX240T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation