casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND512W3A2SN6F TR
Número de pieza del fabricante | NAND512W3A2SN6F TR |
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Número de parte futuro | FT-NAND512W3A2SN6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND512W3A2SN6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 50ns |
Tiempo de acceso | 50ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512W3A2SN6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND512W3A2SN6F TR-FT |
N25Q064A13EV140
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EV740
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EV741
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW74ME
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW7D0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW7DFE
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW7DFF
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW94ME
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW9D0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A11EF740E
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel