casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND512R3A2AZA6E
Número de pieza del fabricante | NAND512R3A2AZA6E |
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Número de parte futuro | FT-NAND512R3A2AZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND512R3A2AZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 60ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 55-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 55-VFBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512R3A2AZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND512R3A2AZA6E-FT |
N25Q064A13ESED0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESED0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESED0G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEDFF TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEH0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF42EE01
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESFD0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESFD0G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EV140
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EV740
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel