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| Número de pieza del fabricante | NM93CS06N |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-NM93CS06N |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| NM93CS06N Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | EEPROM |
| Tecnología | EEPROM |
| Tamaño de la memoria | 256b (16 x 16) |
| Frecuencia de reloj | 1MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ms |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | SPI |
| Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caja | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DIP |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NM93CS06N Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | NM93CS06N-FT |

NAND256W3A2BN6F TR
Micron Technology Inc.

NAND256W3A2BZA6E
Micron Technology Inc.

NAND256W3A2BZA6F TR
Micron Technology Inc.

NAND256W3A2BZAXE
Micron Technology Inc.

NAND32GW3F2DDI6P
Micron Technology Inc.

NAND32GW3F2DDI6P TR
Micron Technology Inc.

NAND512R3A2AZA6E
STMicroelectronics

NAND512R3A2SE06
Micron Technology Inc.

NAND512R3A2SZA6E
Micron Technology Inc.

NAND512R3A2SZA6F
Micron Technology Inc.

XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.

A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation

A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation

EP3C16F256I7
Intel

5SGSED6K1F40C2L
Intel

XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.

XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.

XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.

LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation