casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NM93CS06N
Número de pieza del fabricante | NM93CS06N |
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Número de parte futuro | FT-NM93CS06N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NM93CS06N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 256b (16 x 16) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM93CS06N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NM93CS06N-FT |
NAND256W3A2BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BZA6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BZA6F TR
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BZAXE
Micron Technology Inc.
NAND32GW3F2DDI6P
Micron Technology Inc.
NAND32GW3F2DDI6P TR
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2AZA6E
STMicroelectronics
NAND512R3A2SE06
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SZA6E
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SZA6F
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel