casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND256W3A2BZA6F TR
Número de pieza del fabricante | NAND256W3A2BZA6F TR |
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Número de parte futuro | FT-NAND256W3A2BZA6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND256W3A2BZA6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 50ns |
Tiempo de acceso | 50ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 55-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 55-VFBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND256W3A2BZA6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND256W3A2BZA6F TR-FT |
N25Q064A13EF640FN03 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE40R01 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE4MF TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESED0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESED0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESED0G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEDFF TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEH0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF42EE01
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel