casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MX25U25635FZ2I-10G
Número de pieza del fabricante | MX25U25635FZ2I-10G |
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Número de parte futuro | FT-MX25U25635FZ2I-10G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MX25xxx35/36 - MXSMIO™ |
MX25U25635FZ2I-10G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frecuencia de reloj | 108MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 30µs, 3ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-WSON (8x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25U25635FZ2I-10G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MX25U25635FZ2I-10G-FT |
DS1220AD-100+
Maxim Integrated
DS1220AD-150+
Maxim Integrated
DS1220AB-150+
Maxim Integrated
DS1220AB-150IND+
Maxim Integrated
DS1220AB-200+
Maxim Integrated
DS1220AD-100IND+
Maxim Integrated
DS1220AB-100+
Maxim Integrated
DS1220AB-100IND+
Maxim Integrated
DS1220AB-200IND+
Maxim Integrated
DS1220Y-100+
Maxim Integrated
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel