casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1220AB-200+
Número de pieza del fabricante | DS1220AB-200+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1220AB-200+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1220AB-200+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 200ns |
Tiempo de acceso | 200ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220AB-200+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1220AB-200+-FT |
24LC512-I/ST14
Microchip Technology
24FC512-I/ST14
Microchip Technology
24AA512-I/ST14
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24LC512-I/ST14G
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24LC512T-I/ST14
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24AA512T-I/ST14
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24FC512T-I/ST14
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24LC512-E/ST14
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24LC512T-E/ST14
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24LC128T-I/ST14
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A3P400-1FGG256
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M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
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EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel