casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1220AB-200+
Número de pieza del fabricante | DS1220AB-200+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1220AB-200+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1220AB-200+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 200ns |
Tiempo de acceso | 200ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220AB-200+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1220AB-200+-FT |
24LC512-I/ST14
Microchip Technology
24FC512-I/ST14
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24AA512-I/ST14
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24LC512-I/ST14G
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24LC512T-I/ST14
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24AA512T-I/ST14
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24FC512T-I/ST14
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24LC512-E/ST14
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24LC512T-E/ST14
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24LC128T-I/ST14
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XC2VP4-5FGG256I
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XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
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A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
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EPF10K100EQC240-1N
Intel