casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1220AB-100+
Número de pieza del fabricante | DS1220AB-100+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1220AB-100+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1220AB-100+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220AB-100+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1220AB-100+-FT |
24AA512-I/ST14
Microchip Technology
24LC512-I/ST14G
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24LC512T-I/ST14
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24AA512T-I/ST14
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24FC512T-I/ST14
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24LC512-E/ST14
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24LC512T-E/ST14
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24LC128T-I/ST14
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DS25LV02R+T&R
Maxim Integrated
DS2502R+T&R
Maxim Integrated
XC2S150-5FGG456I
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XC6SLX25-2FGG484I
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XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
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LFE5UM-45F-7BG554I
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EP2C8F256C7
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5SGXEB6R2F40C2L
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XC4VLX40-10FFG668C
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EP1S30F1020C7N
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