casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1220Y-100+
Número de pieza del fabricante | DS1220Y-100+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1220Y-100+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1220Y-100+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220Y-100+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1220Y-100+-FT |
24AA512T-I/ST14
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24FC512T-I/ST14
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24LC512-E/ST14
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DS25LV02R+T&R
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DS28E05R+T
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DS2502R+00B
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DS2502R-00C+T&R
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XC2S15-5TQG144I
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XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
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EP3SL200F1517I4L
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XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
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EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
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