casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E
Número de pieza del fabricante | MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E |
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Número de parte futuro | FT-MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 48Gb (768M x 64) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E-FT |
MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AAT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AAT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AIT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AIT:D TR
Micron Technology Inc.
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel