casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR
Número de pieza del fabricante | MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR-FT |
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel