casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR
Número de pieza del fabricante | MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR-FT |
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C
Micron Technology Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel