casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D
Número de pieza del fabricante | MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D |
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Número de parte futuro | FT-MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D-FT |
MT53D384M16D1NY-046 XT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D384M16D1Z1AMWC1
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C
Micron Technology Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation