casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR
Número de pieza del fabricante | MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 48Gb (768M x 64) |
Frecuencia de reloj | 2133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR-FT |
MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AAT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AAT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AIT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel