casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D
Número de pieza del fabricante | MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D |
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Número de parte futuro | FT-MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (1G x 32) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D-FT |
MT53B512M16D1Z11MWC2 MS
Micron Technology Inc.
MT53B512M16D1Z11NWC1
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel