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Micron Technology Inc. MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

Name: MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Availability: InStock
Rating: 4.5 (801 reviews)

Número de pieza de MFG: MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

Cantidad disponible: 40040 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Micron Technology Inc.

Breve descripción: - IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Memoria

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: MT53B512M32D2DS-053 AAT:E.pdf

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MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Presupuesto

Número de pieza del fabricante	MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Número de parte futuro	FT-MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	DRAM
Tecnología	SDRAM - Mobile LPDDR4
Tamaño de la memoria	16Gb (512M x 32)
Frecuencia de reloj	1866MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página	-
Tiempo de acceso	-
interfaz de memoria	-
Suministro de voltaje	1.1V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo de montaje	-
Paquete / Caja	-
Paquete del dispositivo del proveedor	-
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	MT53B512M32D2DS-053 AAT:E-FT

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