casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR
Número de pieza del fabricante | MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR-FT |
MT53B2DADS-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DADS-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DANH-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANL-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANP-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANW-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANW-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DARN-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DARN-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DATG-DC
Micron Technology Inc.
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel