casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B
Número de pieza del fabricante | MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B |
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Número de parte futuro | FT-MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B-FT |
MT53B2DANL-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANP-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANW-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANW-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DARN-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DARN-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DATG-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DBDS-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DBDS-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DBNP-DC
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel