casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR
Número de pieza del fabricante | MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR-FT |
MT52L1G64D8QC-107 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PD-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1V01MWC2 MS
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel