casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR
Número de pieza del fabricante | MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.2V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR-FT |
MT49H16M18CFM-5 IT
Micron Technology Inc.
MT49H16M18CTR-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25 TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-33 TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H16M18FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H16M36BM-18 IT:B
Micron Technology Inc.
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FG144I
Microsemi Corporation
AGL400V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC5VLX30-1FFG324CES
Xilinx Inc.
5AGXBB7D6F35C6N
Intel
EP1C12F324C6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel